在EP22.中提到NVL144 和 NVL576，其中NVLink版本分別是6和7。官網好像沒說明差異。看到TrendForce的文章，他們預估其特性，其中NVL7會用到400G SerDes。剛好OIF開放了今年448G workshop的資料，看了幾篇文章，分享心得，歡迎討論。
在EP22.中提到NVL144 和 NVL576，其中NVLink版本分別是6和7。官網好像沒說明差異。看到TrendForce的文章，他們預估其特性，其中NVL7會用到400G SerDes。剛好OIF開放了今年448G workshop的資料，看了幾篇文章，分享心得，歡迎討論。¶
- Source: Ted Yu
- Published: 2025-11-06T08:04:40+08:00
- URL: https://ytyuted.substack.com/p/ep23-448g-serdes EP23. 448G SerDes - Ted Yu
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EP23. 448G SerDes¶
Nov 06, 2025
在EP22.中提到NVL144 和 NVL576，其中NVLink版本分別是6和7。官網好像沒說明差異。看到TrendForce的文章，他們預估其特性，其中NVL7會用到400G SerDes。剛好OIF開放了今年448G workshop的資料，看了幾篇文章，分享心得，歡迎討論。
1. SerDes roadmap¶
1.1. NVLink 技術演進¶
通道數量的增長(Lane per Port)
NVL5.0 每埠通道數為 2，NVL6.0開始每埠通道數估計增加到4，提升兩倍的聚合頻寬。
頻寬躍升(BW/Lane)
NVLink 7.0 的每通道頻寬估計將達到400 Gbps，是 NVLink 6.0 (200 Gbps) 的兩倍。
調變技術(Modulation)
NVLink 7.0為了降低對頻道頻寬(PCB Backplane)要求，估計會採用PAM6調變。
1.2. Switch IC 技術演進¶
和NVLink技術演進類似，先提升SerDes速度，再提高lane的數目
目前最新的102.4T的Switch，是基於SerDes = 200G, Lane數目=512。
1.3. SerDes增長趨勢¶
資料中心網路頻寬，特別是交換機容量（年增 40%）和每通道 I/O 速率（年增 20%），正持續高速增長。
高速 SerDes (串行/解串器)是實現這些速率（目標：從200G到400G）的核心技術
資料中心設計必須採用「銅纜優先，光纖必需」的混合媒介策略，要求低功耗、高密度的光學元件與高速 SerDes 介面連。
總結來說：SerDes 是資料中心的命脈，且在未來 5-10 年內將持續加速，推動速率邁向 400G
1.4. SerDes(Serializer/Deserializer) Block Diagram¶
SerDes (串行器/解串器) 的核心功能是將數據從並行轉換為串行傳輸，並在接收端將其還原：
串行器 (Serializer/Tx)：將寬位元的並行數據，通過編碼和PLL (鎖相迴路) 產生的時鐘，轉換成單線路的高速串行數據輸出
解串器 (Deserializer/Rx)：從接收到的高速串行數據中，利用CDR (時鐘和數據恢復)單元，提取時鐘並同步數據，然後將其轉換回原始的並行數據輸出。
目的：透過這種方式，解決高速、長距離傳輸中，多條線路導致的數據時序偏差 (Data Skew)和電磁干擾 (EMI)問題。
2. 448G Electrical Issues¶
2.1. Keysight experiment¶
儀器大廠Keysight使用自家設備(M8199B 任意波形產生器和 UXR RealTime示波器)，進行448G 通道考量 (448G Channel Considerations)實驗:
Keysight 的實驗展示了在下一代超高速率（448G級別）傳輸中，不同調變技術的優缺點：
PAM4 (220 GBd)雖然速率高，但訊號衰減帶來的 BER 太高 (2e-3)，可能難以實際應用
PAM6 (176 GBd)在這個實驗設置中表現出最好的 BER (2e-6)，但其核心限制是發射端的訊噪比
PAM8 (150 GBd)雖然是最低符號率，但對訊噪比的要求極為嚴苛，導致 BER 仍高達 2e-5
實驗結果指出，在 448 Gb/s 的速率級別，PAM6 達到了相對可接受的 BER (2e-6)，使其成為一個強有力的候選技術，而 PAM4 和 PAM8 則因各自的訊號衰減或對SNR 要求過高而面臨更大的挑戰。
2.2. 頻寬需求¶
數據速率 (Bit Rate) 決定公式：
奈奎斯特頻率 (Nyquist Frequency) 決定公式：
此頻率代表傳輸該信號所需的最小通道頻寬
不同的通道響應 vs. PAM4,6,8的Insertion Loss(IL)¶
頻寬限制：圖中的通道（特別是綠線，”224G channel” 當然不合448G的要求）隨著頻率增加，訊號衰減急劇變大，表示通道頻寬嚴重不足
階數影響：
PAM4 (112 GHz)頻寬需求太高，在該通道上訊號衰減極大，傳輸幾乎不可行。
PAM8 (75 GHz)所需頻寬需求最低。
下面這張投影片是分析在448G的連接中，使用銅纜通道的可行性，並得出關鍵結論：
架構：訊號經由 ASIC、PCB、CPC 連接器和銅纜線傳輸，目標距離超過 1 公尺
關鍵限制：插入損耗 (Insertion Loss)是決定銅纜互連可行性的主導因素
調變比較與結論
PAM4 (212.5G Baud)：因符號率極高，產生了>80 dB 的巨大插入損耗，導致不可行 (Not feasible)
PAM6 (170G Baud) 和 PAM8 (141.6G Baud)：透過降低符號率，大幅降低了插入損耗（分別為 >50 dB 和 >40 dB）。儘管這兩種方案所需的SNR 更高，但損耗的改善更為關鍵
最終結論：448G 銅纜互連中，PAM4 是個不可行的方案 (PAM4 is a non-starter)
2.3. SNR 需求¶
在固定信號強度 (448 Gb/s per lane)的前提下，不同 PAM 調變技術（PAM-4、PAM-6、PAM-8）的SNR（訊噪比）對 BER（位元錯誤率）的影響及其面臨的挑戰:
問題核心 (SNR vs. BER)：高速傳輸的通道和類比電路難以跟上訊號速率擴展，導致訊號質量差，SNR (訊噪比) 不足。
高階 PAM 的代價：訊號階數越高（PAM-8 > PAM-6 > PAM-4），對 SNR 的要求越苛刻。為了達到相同的低錯誤率 (BER)，PAM-8 比 PAM-4 需要額外6.1 dB的 SNR。
解決方案：由於物理通道難以提供所需的 SNR 提升，設計者必須使用DSP的技術，如等化器，FEC (前向錯誤修正)等，來彌補高階 PAM 帶來的 SNR 差距，從而實現目標的低 BER。
2.4. Noise Sources¶
關於高速鏈路雜訊源的簡述：
鏈路性能目標：位元錯誤率 (BER) 取決於SNR (訊噪比)，而 SNR 則取決於總雜訊功率(σn2) (假設固定信號功率)
雜訊來源：總雜訊功率 (σn2) 由多個獨立來源組成，包括：
訊號干擾：符號間干擾 (ISI，主要來自反射)。
串擾：近端串擾 (NEXT) 和遠端串擾 (FEXT，來自相鄰通道)
設備雜訊：發射器 (σtx2) 和接收器 (σrx2) 自身的雜訊與時基誤差
通道與雜訊的關係
插入損耗 (IL)和ILD是最關鍵的通道缺陷，它們不僅造成訊號衰減，還會導致雜訊增強 (noise enhancement)，放大接收器和串擾雜訊
回波損耗 (RL)差則主要增加ISI(反射)
要提高鏈路性能，必須從優化通道的 IL、ILD 和 RL 開始，以最小化所有獨立雜訊源，從而最大化 SNR。
2.5.MLSD(Maximum-Likelihood Sequence Detector)¶
下面這張「鏈路框圖 (Link block diagram)」展示了實現 448 Gbps/lane 速率時，發射端 (Transmitter) 和接收端 (Receiver) 複雜的訊號處理流程。
在這個超高速、高損耗的環境中，MLSD (Maximum-Likelihood Sequence Detector, 最大似然序列偵測器)扮演了關鍵角色。
MLSD (最大似然序列偵測器)是一個在接收端使用的進階數位訊號處理 (DSP)技術:
功能：它不是單獨判斷每個訊號，而是考慮連續的符號序列，並根據統計原理推測發射端最有可能發出的原始數據序列
必要性：在 224G/448G 這樣極高速率下，通道損耗導致SNR 極低。傳統的均衡器 (如 DFE) 無法有效消除殘餘的符號間干擾 (ISI)
價值：MLSD 能在低 SNR 環境中提供最佳的判決準確度，有效處理殘留的 ISI，是確保鏈路能達到目標低 BER 性能的必須解決方案。
1 米 DAC 通道 MLSD 應用範例¶
挑戰：在 425 Gb/s 的速率下，即使是 1 米 DAC 通道，高頻處仍有30-40 dB 的顯著插入損耗和串擾
MLSD 效果：在這個高損耗環境中，MLSD作為接收端的關鍵 DSP，成功地將BER（位元錯誤率）控制在1e-5到2.2e-5的範圍內
結論：MLSD 的應用證明，它是實現超高速率 (425G/lane) 鏈路性能的關鍵技術，能將高損耗通道轉化為FEC（前向錯誤修正）可處理的低錯誤率，確保鏈路可靠運行
註: PAM8 雖然插入損耗最低 (32 dB)，但其 BER 略差，再次確認了它對 SNR 的高敏感性。 這也符合Keysight的實驗結論，PAM6是銅介質傳輸的最佳選擇。
註: 請參考補充說明，關於MLSD和FEC協作。
2.6. Connector issues¶
傳統連接器(如 OSFP)在高速率下所面臨問題:
速率限制：傳統連接器的方法在速率超過200G時，性能受到嚴重限制，難以支持 400G 訊號。
主要缺陷：
回波損耗 (RL) 非常高：由於連接器的物理結構（如短截線 Stub），造成訊號反射嚴重，惡化訊號完整性
近端串擾 (NEXT) 非常高：連接器內通道間隔離不足，導致鄰近訊號干擾嚴重
結論：由於高反射 (RL) 和高串擾 (NEXT)，傳統連接器難以在下一代 400G/448G 訊號速率下維持可靠的訊號完整性。
2.7. OIF HD 連接器專案¶
時間與目標：於2025 年 Q1啟動，是 OIF「節能介面 (EEI)」研究方向的一部分
目的：旨在解決下一代 AI/ML 和資料中心中，超高速率 (448G/224G)連接器面臨的高密度、低功耗、低延遲和訊號完整性等挑戰
意義：該專案代表業界正在尋求突破性的新連接器標準，以取代傳統設計的限制，支持未來的3.2T及更高速率光網路技術的市場採用。
Project Targets¶
傳統限制：現有連接器採用單排 (1D)或兩排 (1.5D)的線性佈局 (例如 OSFP 的 8 條或 OSFP-XD 的 16 條通道)，這種結構已限制了通道密度
HD 目標 (2D)：新的 HD 連接器概念目標轉向二維矩陣 (2D)結構，以實現：
極高密度：支援64 對訊號通道
極高總速率：實現12.8T 或 25.6T的總傳輸速率(比較: NV B200 7.2Tbps(單向))
極小間距：觸點間距為0.5 mm
結論：從 1D/1.5D 轉向 2D 佈局是實現通道數量和總速率飛躍的關鍵，以應對 AI/ML 對極致頻寬的需求。
HD Scale-up 應用¶
關於HD Scale-up 應用和12.8T 可插拔光學模組的簡述:
需求：Scale-up應用需要比Scale-out高約 10 倍的頻寬。
解決方案：透過採用 OIF 推動的高密度 2D 連接器（支援64 對通道）技術
目標：實現12.8T 甚至 25.6T的超高容量可插拔光學模組 (PLO, PLuggable Optics)
優勢：這些 PLO 具有高容量、緊湊尺寸（適用於 GPU/Scale-up 交換機）和低成本/Gbps的優勢，能滿足未來 AI/ML 運算的極致互連需求
Example¶
設計核心：這是一個高密度連接器概念，旨在實現極致的訊號密度和高速傳輸能力
關鍵規格
支援144 對差分訊號，密度遠高於傳統連接器
可擴展至448 Gbps/lane應用
訊號完整性保障
每個差分訊號對都進行了完全遮蔽 (fully shielded)以控制串擾
對接距離極短 (1.85 mm)，以最大限度減少連接器自身的損耗和反射
該範例展示了實現未來12.8T/25.6T總速率所需的超高密度、全面遮蔽和極短傳輸路徑的連接器設計標準
3. 448G Optical issues¶
3.1. Modulator(E/O)¶
Modulator受448G影響最嚴重，所以特別研究此元件。
400G/通道 技術平台與主流調變器介紹¶
在光通信業界，實現400G/通道速率主要有兩大技術平台在競爭，並各自有其主流調變器:
InP 平台 (磷化銦)：
主流技術：EML (電吸收調變雷射, DFB+EAM)和DFB +MZI 調變器 (ILMZ)。
優勢：技術成熟、性能穩定、可集成雷射(光源)，且具有高頻寬。EML 是當前高性能應用中的主力軍。
SOI 平台 (絕緣層上矽 / 矽光子)：
主流技術：TFLN (薄膜鈮酸鋰) 調變器。
優勢：具有極高頻寬、低損耗、低成本和大規模集成潛力，是矽光子平臺用來追趕 InP 性能的關鍵技術。
總結：InP EML是穩定且性能可靠的主流方案，而TFLN/InP ILMZ則憑藉其超高頻寬和優異的線性度，是未來實現更複雜、更長距離400G/通道應用（如 Coherent Lite）的重要競爭者。
ILMZ(IntegratedLaserMach-Zehnder) Demo¶
Marvell和Lumentum在OFC 2025上合作展示的業界領先技術：單通道 400G PAM4 電轉光 (electrical-to-optical) 鏈路
核心成果：在 OFC 2025 上，成功展示了業界首個單通道 400G PAM4 電轉光鏈路(實際速率約 448G)。
技術合作：
Marvell (電氣端)：提供了高速的DAC 和 Driver，產生225 GBd的 PAM4 電氣訊號。
Lumentum (光學端)：提供了DFB-MZI等集成光學元件，負責將電氣訊號轉換為高品質的光學訊
參考Demo視頻:Lumentum and Marvell Showcase Industry’s First 450G demo at OFC 2025
EML(Electro-absorption Modulated Laser) Demo¶
Coherent和Ciena在 OFC 2025展示的技術，是關於使用差分電吸收調變雷射 (Differential EML, D-EML)實現400G PAM4傳輸的成果。
參考Demo視頻:Coherent | 400G Differential Electro-absorption Modulated Laser (D-EML) at OFC 2025
另外，Broadcom也公開他們400G EML的產品。
註: 請參考補充說明，關於高速矽光子三大物理層面的核心問題
3.2. 448G 訊號的調變技術選擇與權衡¶
電氣通道 (Electrical Channels)：偏好 PAM6/8¶
原因：PAM4 (224 GBd)在銅纜/連接器中會產生極高的插入損耗 (>80 dB)，因此不可行(除非電氣通道距離和前面兩個Demo一樣，非常短)。
選擇：必須採用PAM6 或 PAM8來降低符號率，以降低通道插入損耗，提高可行性。
光學通道 (Optical Channels)：偏好 PAM4¶
原因：新一代光學調變器（如EML/MZI/TFLN）的頻寬足夠支持 PAM4 的 224 GBd 速率
選擇：PAM4 對SNR (訊噪比)的要求在所有 PAM 階數中最低，是達成可靠 BER 的首選
總結：電氣通道受限於「損耗 (Loss)」，被迫選擇低符號率的 PAM6/8；而光學通道受限於「SNR」，故在頻寬足夠下選擇低 SNR 門檻的 PAM4。
Marvell在會議上提出用DSP GearBox，用來做PAM6 和 PAM4的轉換，但需要額外功耗。
註: 到了3.2T世代，還要搞CPC(Co-Packaged Copper) + Flyover + OSFP! 反映了傳統光通訊產業（賣模組的、賣連接器的）正在拼命抵抗CPO的「垂直整合」
4. Others¶
這張投影片由Microsoft Azure提出，旨在定義未來光學技術的發展，並將其分為三個主要類別:
根據圖中資訊，適用於短距離且與Fast & Narrow不同的技術，主要集中在Slow and Wide和Slower and Wide這兩個類別:
Slow and Wide (32G - 128G)
特點：犧牲單通道速率（使用 NRZ 調變），但利用WDM的方法，增加了通道數量（4 到 16 個 波長）
優勢：這種方案可能提供比 Fast & Narrow 更高的通道密度和總體頻寬密度，同時在單通道速度上對 DSP/SerDes 的要求較低，可能降低功耗
Slower and Wide (4G - 32G), 例如 Microsoft 的 MOSAIC 專案
特點：單通道速率極低，但採用單一波長，並在單個模組內使用數百條光纖。
優勢：由於使用了最簡單的NRZ和直調變，且速度極低，這會是一個成本和功耗最低的解決方案。它適用於極短距離、超高密度的互連，例如在 ASIC 附近的共同封裝光學 (CPO) 或光引擎
Fast & Narrow (400G, PAM4)：專注於速度，是當前的基準。
Slow and Wide (NRZ, 4-16波長) 和 Slower and Wide (NRZ, 數百條光纖 )：專注於密度和低成本，通過犧牲單通道速度來換取極大的通道數量，以滿足未來極短距離、大規模並行互連的需求。
4.1. Slow and Wide Example¶
核心概念：該路線圖體現了Slow and Wide策略，即通過增加通道數量而非追求極致單通道速率來提升總頻寬
關鍵目標：透過使用16 個波長和128G NRZ調變（相對較慢且簡單），實現單光纖總頻寬高達4 Tbps(加上極化)
優勢：WDM(Wavelength Division Multiplexing)的方法，特別適用於CPO用的MRM(Micro Ring Modulator，請參考EP14. SiPH MRM)
4.2. Slower and Wide Example¶
Avicena LightBundle™與Microsoft MOSAIC 專案相似性的簡述：
核心理念：兩者都採用Slower and Wide (慢而寬)的架構，即放棄極高單通道速率 (如 400G PAM4)，轉向低速、大規模並行傳輸。
技術實現：均使用微型 LED 陣列 (MicroLED Array)作為光源，將數據轉換為數百個並行光點（“圖像”），通過多芯光纖束進行傳輸。
主要優勢：由於通道速率低，系統可以移除高功耗的 SerDes、DSP 和 FEC電路，從而實現超低功耗、高密度和極短延遲的互連，特別適用於 AI/ML 系統的晶片級互連。
Avicena 的 LightBundle™和Microsoft 的 MOSAIC都是利用微型 LED和多通道並行來實現極低功耗、高密度、短距離互連的Slower and Wide技術範例。
可以觀看這段影片了解 MOSAIC 專案如何打破光學與銅纜的權衡。Disrupting the AI infrastructure with MicroLEDs
註: 請參考EP24 和 EP25，再詳細介紹Slow and Wide 和 Slower and Wide。
5. 補充說明¶
5.1. MLSD 與 DFE 的差異¶
兩者處理 ISI (符號間干擾) 的核心哲學截然不同：
核心邏輯：扣除 vs. 預測¶
DFE (決策反饋等化器) 採用「扣除法」，它將ISI 視為雜訊。一旦判斷出前一個符號，就立即算出它產生的殘餘電壓並從當前訊號中減去。
MLSD (最大概似序列偵測)採用「預測法」，它將ISI 視為資訊。它利用通道記憶(Channel Memory)效應造成的符號間相關性，觀察一整串序列的波形來推算最可能的路徑
效能增益¶
DFE 沒有額外的 SNR 增益，且一旦判錯容易導致連續錯誤 (Error Propagation)。
MLSD 則能將 ISI 轉化為有用的能量，提供理論上的漸近增益 (Asymptotic Gain)，在強 ISI 通道下最高可達3 dB
註:b1是部分響應 (Partial Response)的目標係數 。它量化了通道中「後一個符號」干擾「當前符號」的程度，也就是前後符號之間的相關性 (Correlation)強度
448G 的實作選擇¶
DFE 在 448G 頻寬下已不足以應對。MLSD 成為必須，但為了節省功耗，Broadcom 採用Hard-Output MLSD(只輸出 0/1，不輸出信心指數)，這樣既能獲得 MLSD 的 3dB 增益(理論值)，又不需要處理 Soft-Decision 的複雜運算
5.2. 224G 如何升級至 448G¶
從 IEEE 802.3dj (224G) 演進到 448G，技術路徑主要經歷了三個關鍵改變：
調變格式從 PAM-4 轉向 PAM-6¶
為了避免使用 PAM-4 時 Nyquist 頻率飆升至無法實現的 112 GHz，448G 改用PAM-6。這將 Signaling Rate 控制在170 GBd(Nyquist 頻率約 85 GHz)，以符合現有通道材料的物理極限 。雖然 PAM-6 的 SNR 天生比 PAM-4 差了 3.6 dB，但這是換取頻寬可行性的必要犧牲 。
FEC 從 Hamming 升級為 BCH¶
為了彌補 PAM-6 帶來的 SNR 缺口，Inner FEC 從 224G 的簡單 Hamming Code 升級為糾錯能力更強的BCH Code(如 BCH(312,272)) 。這個改變能提供約2.3 dB的額外增益 。Broadcom 特別強調採用Hard-Decision (硬判決)解碼算法，以避免 Soft-Decision 帶來的高功耗與設計複雜度
互連依賴 MLSD 與 Inner Code 的組合¶
在 448G 下，1 米長的被動銅纜 (DAC) 損耗高達36.6 dB。單靠傳統 EQ 已無法運作，必須同時啟用MLSD(處理 ISI) 加上BCH Inner Code(處理隨機錯誤)，才能將誤碼率 (BER) 壓低至 1e-5 的可用範圍
5.3. 高速矽光子三大物理層面的核心問題¶
矽材料的物理極限 (Optical Limit)¶
問題： 傳統矽 (Silicon) 波導在處理高功率雷射時(224/448G SNR需求)，會產生雙光子吸收效應 (TPA)，導致光訊號非線性損耗大增，光傳不遠且效率變差。
對策： 必須引入SiN(氮化矽)，因為它幾乎不吸光，能承受高功率傳輸
電光頻寬的瓶頸 (Bandwidth Limit)¶
問題： 單通道速率衝上 200G+ 時，傳統矽光調變器 (Si Modulator) 的物理頻寬已達極限，硬衝會導致訊號失真嚴重。
對策： 需要更強的材料如 TFLN (薄膜鈮酸鋰) 來突破頻寬天花板，或者利用WDM(波分複用) 增加車道數來分擔流量。
封裝寄生效應的阻礙 (Electrical Limit)¶
問題： 在 224G 速率下，電子晶片 (EIC) 與光子晶片 (PIC) 之間只要有一點點距離 (如打線或凸塊)，產生的寄生電容與電阻 (RC Delay) 就會把高頻訊號「吃掉」。
對策： 必須採用如TSMCSoIC-X (Hybrid Bonding)，讓晶片直接銅對銅垂直堆疊，消除傳輸距離以保全訊號完整度。
(參考EP14. SiPH MRM介紹)
總結¶
224G/448G 的挑戰在於「矽材料本身不夠用了 (損耗/頻寬)」以及「傳統封裝太慢了 (電阻電容)」，因此必須引入新材料 (SiN/TFLN) 與 先進3D封裝 (SoIC)。
6. 後記¶
NVIDIA 在 CES 2026 的最新發佈與技術細節:¶
NVLink 6 採用的是 400G /lane SerDes 速率 !!¶
這確實打破了業界原先的預測（TrendForce 圖表中對 VR200 的估計）。業界原先認為 NVIDIA 會走「Lane Doubling (通道翻倍)」的保守路線，但 NVIDIA 選擇了更激進的「Speed Doubling (速率翻倍)」路線。
可能原因 - 線纜密度的物理極限：¶
NVL72 機櫃背面已經使用了超過 5,000 條銅纜。如果採用「Lane Doubling(200G x 4 lane)」，線纜數量將會翻倍，這在物理空間、重量和氣流阻擋上都是災難性的。只有將單條線的速度拉高到400G，才能在「不增加線纜數量」的前提下讓頻寬翻倍。
OIF 才剛開始 Study 448G，NV 怎麼做到的？¶
封閉生態系 (Proprietary Loop)：
OIF 制定 448G 標準是為了讓 Broadcom 的 Switch 能接 Intel 的 CPU，還要能接各种光模塊，必須考慮極高的相容性 (Interoperability)和各種惡劣環境。
NVLink 6 的兩端全是 NVIDIA 自己的晶片（GPU 端是 Rubin，Switch 端是 NVLink 6 Switch）。NVIDIA 可以使用非標準的 Custom SerDes，甚至可能使用了類似PAM-6或更激進的調變技術，只要這兩顆晶片能溝通就行，不需要管別人。
液冷是關鍵 (Liquid Cooling)：
400G/lane 的訊號衰減和發熱非常可怕。OIF 還在研究如何用風冷或低功耗達成。
但 NVIDIA 在 Rubin 平台直接規定NVLink 6 Switch 必須採用液冷。這等於是用暴力的散熱手段，解決了 400G SerDes 高溫導致的訊號不穩問題，這是通用標準組織無法預設的條件。
[Reference]¶
OIF 448Gbps Signaling for AI Workshop
ASIC 將超車 GPU？NVIDIA 從 Scale-Up 霸主到全面戰爭
Lumentum and Marvell Showcase Industry’s First 450G demo at OFC 2025
Coherent | 400G Differential Electro-absorption Modulated Laser (D-EML) at OFC 2025
Disrupting the AI infrastructure with MicroLEDs。
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